Manufacture of semiconductor device



PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiency form a trench which has high aspect ratio, using a relatively simple means. SOLUTION: An initial trench 4 is formed by etching an Si substrate 1 through reactive ion etching by using an oxide film mask 2 as a mask. Then, after a protective oxide film 11 is formed on the inner wall of the trench 4, the film 11 formed on the bottom of the trench 4 is etched by reactive ion etching together with the substrate 1 which forms the bottom of the trench 4. The steps of forming the protective oxide film 11 and of etching the bottom of the trench 4 are repeated, until the depth of the trench 4 becomes a prescribed value. These steps are performed in the same chamber to perform plasma treatment, by switching the gas species introduced into the chamber.
(57)【要約】 【課題】 比較的簡便な手段を用いて効率的に、アスペ クト比の高いトレンチ形状を得られるようにする。 【解決手段】 酸化膜マスク2をマスクとして、Si基 板1を反応性イオンエッチングして初期のトレンチ4を 形成する。次に、トレンチ4の内壁に保護酸化膜11を 形成したのち、反応性イオンエッチングによりトレンチ 4の底部に配置された保護酸化膜11をエッチングする と共に、トレンチ4の底部においてSi基板1のエッチ ングを進める。そして、保護酸化膜11を形成する工程 とトレンチ底部の再エッチング工程を繰り返し行ない、 トレンチ4が所定の深さになるようにする。これらの工 程をチャンバ21に導入するガス種を切り替えながら、 プラズマ処理を行なうことによって、同一チャンバ内で 行なうようにする。




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Cited By (32)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    DE-102005024869-B4June 23, 2016Denso CorporationOptische Vorrichtung, die einen optischen Wellenleiter umfasst, und Verfahren zur Herstellung dieser
    JP-2006054305-AFebruary 23, 2006Sumitomo Precision Prod Co Ltd, 住友精密工業株式会社エッチング方法及びエッチング装置
    JP-2007012763-AJanuary 18, 2007Canon Marketing Japan Inc, キヤノンマーケティングジャパン株式会社Etching method and etching apparatus
    JP-2007511087-AApril 26, 2007アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporatedコンタクトの形成中、コンタクトホール幅の増大を防ぐ方法
    JP-2008079608-AApril 10, 2008Toyohashi Univ Of Technology, 国立大学法人豊橋技術科学大学Bioprobe with microneedle and production method of bioprobe with microneedle
    JP-2008111865-AMay 15, 2008Denso Corp, 株式会社デンソーMethod of manufacturing optical element, and optical element
    JP-2008516429-AMay 15, 2008シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッドエッチングされたトレンチからポリマーのコーティングを除去する方法
    JP-2010103358-AMay 06, 2010Denso Corp, 株式会社デンソー半導体装置の製造方法
    JP-2010185728-AAugust 26, 2010Nanocreate Co Ltd, 株式会社ナノクリエートX線タルボ回折格子の製造方法、x線タルボ回折格子、x線タルボ干渉計及びx線位相イメージング装置
    JP-2012168397-ASeptember 06, 2012Canon Inc, キヤノン株式会社Fine structure, manufacturing method thereof and imaging apparatus
    JP-2013131587-AJuly 04, 2013Hitachi High-Technologies Corp, 株式会社日立ハイテクノロジーズプラズマ処理方法
    JP-2013512583-AApril 11, 2013インテル コーポレイション多層ガラスコアを含む集積回路デバイス用基板、及びその製造方法
    JP-2015023157-AFebruary 02, 2015キヤノン株式会社, Canon Incシリコン基板のエッチング方法
    JP-4578887-B2November 10, 2010住友精密工業株式会社エッチング方法及びエッチング装置
    JP-4662943-B2March 30, 2011アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporatedコンタクトの形成中、コンタクトホール幅の増大を防ぐ方法
    JP-4697119-B2June 08, 2011株式会社デンソー光学素子の製造方法及び光学素子
    JP-4796965-B2October 19, 2011株式会社アルバックエッチング方法及び装置
    JP-WO2006003962-A1April 17, 2008株式会社アルバックエッチング方法及び装置
    KR-100804858-B1February 20, 2008가부시키가이샤 아루박Etching method and system
    US-7129176-B2October 31, 2006Denso CorporationOptical device having micro lens array and method for manufacturing the same
    US-7220678-B2May 22, 2007Sumitomo Precision Products Co., Ltd.Method for etching of a silicon substrate and etching apparatus
    US-7532404-B2May 12, 2009Denso CorporationOptical device having micro lens array
    US-7622394-B2November 24, 2009Oki Semiconductor Co., Ltd.Method of fabricating semiconductor device including forming a protective layer and removing after etching a trench
    US-9420707-B2August 16, 2016Intel CorporationSubstrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same
    US-9552984-B2January 24, 2017Canon Kabushiki KaishaProcessing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head
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    WO-2004086478-A1October 07, 2004Sumitomo Precision Products Co., Ltd.Method of etching silicon substrate and etching apparatus therefor
    WO-2005055303-A1June 16, 2005Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.プラズマエッチング方法
    WO-2006003962-A1January 12, 2006Ulvac, Inc.Etching method and system