Manufacture of semiconductor device

半導体装置の製造方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiency form a trench which has high aspect ratio, using a relatively simple means. SOLUTION: An initial trench 4 is formed by etching an Si substrate 1 through reactive ion etching by using an oxide film mask 2 as a mask. Then, after a protective oxide film 11 is formed on the inner wall of the trench 4, the film 11 formed on the bottom of the trench 4 is etched by reactive ion etching together with the substrate 1 which forms the bottom of the trench 4. The steps of forming the protective oxide film 11 and of etching the bottom of the trench 4 are repeated, until the depth of the trench 4 becomes a prescribed value. These steps are performed in the same chamber to perform plasma treatment, by switching the gas species introduced into the chamber.
(57)【要約】 【課題】 比較的簡便な手段を用いて効率的に、アスペ クト比の高いトレンチ形状を得られるようにする。 【解決手段】 酸化膜マスク2をマスクとして、Si基 板1を反応性イオンエッチングして初期のトレンチ4を 形成する。次に、トレンチ4の内壁に保護酸化膜11を 形成したのち、反応性イオンエッチングによりトレンチ 4の底部に配置された保護酸化膜11をエッチングする と共に、トレンチ4の底部においてSi基板1のエッチ ングを進める。そして、保護酸化膜11を形成する工程 とトレンチ底部の再エッチング工程を繰り返し行ない、 トレンチ4が所定の深さになるようにする。これらの工 程をチャンバ21に導入するガス種を切り替えながら、 プラズマ処理を行なうことによって、同一チャンバ内で 行なうようにする。

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