終点検出方法

Detection of end point

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の発光分光分析型の終点検出方法の場合 には、被処理層のエッチングが終了し、下地層が露出し て特定波長の発光強度が変化した時点をエッチングの終 点として検出するため、この時のオーバエッチングによ り下地層が削られて損傷する。 【解決手段】 本発明の終点検出方法は、プラズマを用 いてゲート酸化膜O上のポリシリコン層Pをエッチング する際に、ポリシリコン層Pに白色光を照射し、ポリシ リコン層Pの表面及びゲート酸化膜Oとの界面からの反 射光のうち、2種類の波長を異にする反射光による2つ の干渉光波形をそれぞれ検出した後、2つの干渉光波形 の位相差に基づいて擬似終点を検出することを特徴とす る。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for detecting an end point, which can surely prevent the damages to a base layer due to overtching, even if a semiconductor product becomes a multilayer structed one, reducing the thickness of the layer to be processed. SOLUTION: When etching a polysilicon layer P on a gate oxide film 0 using a plasma, white light is irradiated on the polysilicon layer P. Wavelengths of two interference lights caused by two reflected lights, having different wavelengths out of the lights reflected from the surface of the polysilicon layer P and from an interface between the polysilicon layer P and the gate oxide film 0 are detected. Based on the phase difference between the wavelengths of the two interference lights, a pseudo-end phase is detected.

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