半導体集積回路装置

Semiconductor integrated circuit device

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路装置の省電力性と高速性の両 立を図る。 【解決手段】 CMOS型論理回路の高電位電源または 低電位電源を高低二つとし、該高低二つの電源のそれぞ れを個別のMOSトランジスタを介して前記CMOS型 論理回路に供給し、高速動作モードで用いる場合は前記 高低二つのうち高い方の高電位電源または低い方の低電 位電源を供給するように前記MOSトランジスタをオン オフ制御する一方、省電力動作モードで用いる場合は前 記高低二つのうち低い方の高電位電源または高い方の低 電位電源を供給するように前記MOSトランジスタをオ ンオフ制御する。論理回路の電源電圧が高低二つに切り 換えられるため、高い電圧で動作するときは高速性が確 保され、一方、低い電圧で動作しているときは省電力性 が確保される。
PROBLEM TO BE SOLVED: To save the electric power and also to attain the fast operation of a semiconductor integrated circuit by performing to on/off control of a MOS transistor TR so as to apply a high potential power supply of the power supply side or a low potential power supply of the ground side when a CMOS logical circuit is used in a fast operation mode and then to reverse the power supply compared with that of the fast operation mode when the logical circuit is used in a power saving mode. SOLUTION: A CMOS logical circuit 1 of this semiconductor integrated circuit uses high and low potential power supplies VDD H and VDD L. Then a p-channel MOS TR Tp3 is placed between a p-channel MOS TR Tp1 and the supply VDD H of the circuit 1, and also a p-channel MOS TR Tp4 is placed between the Tp1 and the supply VDD L of the circuit 1 respectively. Furthermore, the gate potentials of both Tp3 and Tp4 can be individually controlled by signals CT H and CT L. In such a constitution, the TR Tp3 is turned on and the VDD H is supplied to the circuit 1 when the signals CT H and CT L are set at L and H levels respectively. COPYRIGHT: (C)1998,JPO

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