半導体レーザ装置、及びその製造方法

Semiconductor laser device and its manufacture

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窓構造形成時における品質劣化の少ない半導 体レーザ装置,及びその製造方法を提供することを課題 とする。 【解決手段】 量子井戸構造活性層3上にp−Al r G a 1-r As(r=0.3)第1上クラッド層4を形成 し、レーザ共振器端面となる部分の近傍領域にイオン注 入を行った後、アニールを行い、量子井戸構造活性層3 をディスオーダして窓構造領域8を形成した後、p−A l r Ga 1-r As(r=0.3)第2上クラッド層4b を結晶成長させ、この第2上クラッド層4bの上部に選 択エッチングによりリッジストライプ形状部15を形成 するようにした。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device which is not much deteriorated in quality in forming a window structure. SOLUTION: A first p-type Al r Ga 1-r As upper clad layer 4 (r=0.3) is formed on an active layer 3 constituted in a quantum well structure and ions are implanted into an area near the part which becomes the end face of a laser resonator. Then, after a window structure area 8 is formed by disordering the active layer 3 by annealing, a second p-type Al r Ga 1-r As upper layer 4b (r=0.3) is formed through crystal growth and a ridge stripe-like section 15 is formed on the second upper clad layer 4b by selective etching. COPYRIGHT: (C)1998,JPO

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