Systeme et procede d'utilisation d'une simulation de principes de base afin de faciliter un processus de fabrication de semiconducteurs

System and method for using first-principles simulation to facilitate a semiconductor manufacturing process

Abstract

L'invention concerne un procédé, un système et un support lisible par ordinateur destinés à faciliter un processus réalisé par un outil de traitement de semiconducteurs. Ledit procédé consiste à entrer des données concernant un processus réalisé par l'outil de traitement de semiconducteurs, et à entrer un modèle physique de principes de base concernant l'outil de traitement de semiconducteurs. La simulation de principes de base est alors réalisée au moyen des données et du modèle physique entrés afin d'obtenir un résultat de simulation de principes de base, et ce résultat est employé pour faciliter le processus réalisé par l'outil de traitement de semiconducteurs.
A method, system and computer readable medium for facilitating a process performed by a semiconductor processing tool. The method includes inputting data relating to a process performed by the semiconductor processing tool and inputting a first principles physical model relating to the semiconductor processing tool. First principles simulation is then performed using the input data and the physical model to provide a first principles simulation result, and the first principles simulation result is used to facilitate the process performed by the semiconductor processing tool.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-2004058255-A1March 25, 2004Scott Jessen, Mclntosh John Martin, Nagel Scott M.Substrate topography compensation at mask design: 3D OPC topography anchored
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    See also references of EP 1668554A4

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