Spin-transfer based mram using angular-dependent selectivity

Memoire vive magnetique a transfert de spin utilisant une selectivite dependant de l'angle

Abstract

L'invention concerne une mémoire vive magnétique (MRAM) (200) qui peut être sélectivement inscrite au moyen de techniques en mode à réflexion à transfert de spin. La sélectivité d'une cellule MRAM désignée dans une matrice MRAM est due à la dépendance du courant de commutation à transfert de spin par rapport à l'angle relatif entre les magnétisations de l'élément de polarisation (204) et l'élément magnétique libre (208) dans la cellule MRAM. L'élément de polarisation présente une magnétisation variable qui peut être modifiée en réponse à l'application d'un courant, par exemple, un courant bit de ligne (226). Lorsque la magnétisation de l'élément de polarisation se trouve dans son orientation naturelle par défaut, les données contenues dans la cellule MRAM sont conservées. Lorsque la magnétisation de l'élément de polarisation est commutée, les données contenues dans la cellule MRAM peuvent être écrites en réponse à l'application d'un courant d'écriture relativement faible (224).
A magnetic random access memory ('MRAM') device (200) can be selectively written using spin-transfer reflection mode techniques. Selectivity of a designated MRAM cell within an MRAM array is achieved by the dependence of the spin-transfer switching current on the relative angle between the magnetizations of the polarizer element (204) and the free magnetic element (208) in the MRAM cell. The polarizer element has a variable magnetization that can be altered in response to the application of a current, e.g., a digit line current (226). When the magnetization of the polarizer element is in the natural default orientation, the data in the MRAM cell is preserved. When the magnetization of the polarizer element is switched, the data in the MRAM cell can be written in response to the application of a relatively low write current (224).

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-5695864-ADecember 09, 1997International Business Machines CorporationElectronic device using magnetic components
    US-5838607-ANovember 17, 1998Motorola, Inc.Spin polarized apparatus

NO-Patent Citations (1)

    Title
    See also references of EP 1805766A4

Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2011527094-AOctober 20, 2011マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッドMagIC Technologies, Inc.分離cppアシスト書込を行うスピン注入mramデバイス