Method for controlling the pressure in a process chamber

Procede de pilotage de la pression dans une chambre de procede

Abstract

La présente invention a pour objet un procédé de traitement par plasma d'un substrat semi-conducteur, dans une chambre de procédé reliée à une ligne de vide par l'intermédiaire d'une vanne, comprenant en alternance au moins une étape de gravure et au moins une étape de passivation, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations suivantes : (a) on définit une pression de référence Pref à laquelle on souhaite effectuer le traitement, (b) on fixe la position de la vanne lors de la première étape de gravure, (c) on laisse la pression dans la chambre de procédé se stabiliser pendant n cycles, (d) on mesure la pression dans la chambre de procédé durant l'étape de gravure pendant m cycles, avec m au moins égal à 2, et on calcule une valeur moyenne de pression Pc à partir des mesures effectuées, (e) après n + m cycles, on rectifie la position de la vanne dans en vue d'obtenir une pression dans la chambre de procédé qui se rapproche de la valeur de pression de référence Pref, (e) on renouvelle les étapes (c) à (e) jusqu'à ce que la pression moyenne calculée Pc soit sensiblement égale à la valeur de pression de référence Pref de telle sorte qu'il ne soit plus nécessaire de rectifier la position de la vanne.
The invention relates to a method for plasma processing a semiconductor substrate in a process chamber connected to a vacuum line via a valve, comprising, in an alternating manner, at least one etching step and at least passivation step, characterized in that it comprises the following operations: (a) a reference pressure Pref is defined at which one would like to carry out the processing; (b) the position of the valve is fixed during the first etching step; (c) the pressure inside the process chamber is permitted to stabilize during n cycles; (d) the pressure inside the process chamber is measured during the etching step during m cycles with m being equal to at least 2, and a mean pressure value Pc is calculated from the conducted measurements; (e) after n + m cycles, the position of the valve is adjusted in order to obtain a pressure inside the process chamber that comes closer to the reference pressure value Pref; (f) steps (c) to (e) are repeated until the calculated mean pressure Pc is essentially equal to the reference pressure value Pref whereby making it no longer necessary to adjust the position of the valve.

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Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
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